科创中国

一、企业介绍

天津中科先进技术研究院有限公司（简称“天津中科先进院”）成立于2015年6月，由天津滨海高新技术产业开发区和中国科学院深圳先进技术研究院合作共建。面向区域产业创新发展需求，天津中科先进院围绕新能源新材料、新一代信息技术、生物医学医药等领域，重点开展核心技术研发和产业化，搭建创新服务体系，建设产业人才高地，促进国际技术转移与合作。天津中科先进院立足天津滨海高新区全域和区域产业特点，依托中科院先进科技成果和团队进一步完善科技成果转化体系，重点开展面向科技型初创和中小企业的孵化培育服务，打造有影响力、有特色的产业协同创新平台。

二、产品介绍

本发明提供了一种具有耐压结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、耐压氧化层、多晶硅区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，耐压氧化层分别设置在N+区的中央区的两侧，且分别与N+区的侧边区相贴合，耐压氧化层为凹形氧化层，多晶硅区填充在耐压氧化层凹形区域内。该技术方案缓解了现有技术存在的器件结构耐压性能差的技术问题，有效保证了器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。 

1 .一种具有耐压结构的半导体器件，其特征在于，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、耐压氧化层、多晶硅区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属；所述N+区为由中央区、底边区和侧边区组成的电子漂移区；所述N型衬底的上方与所述N+区的底边区连接，所述N+区的内表面向中央区延伸为所述P‑体区，所述耐压氧化层分别设置在所述N+区的中央区的两侧，且分别与所述N+区的侧边区相贴合，所述耐压氧化层的侧边与所述N+区的中央区距离L1，和所述耐压氧化层的底部与所述N+区的底部的距离L2相等，所述P‑体区的深度与厚度均大于所述耐压氧化层的深度与厚度，使所述P‑体区与所述N+区的侧边区将所述耐压氧化层包围起来；所述耐压氧化层为凹形氧化层，所述多晶硅区填充在所述耐压氧化层凹形区域内，所述P‑体区的上表面与所述耐压氧化层相连接处设有所述N+源区，所述栅极氧化层覆盖于所述N+源区、N+区、P‑体区连接处的上表面，所述栅极氧化层上方设有所述多晶硅栅极，所述耐压氧化层、多晶硅区与所述N+源区连接处的上表面设置有器件源极金属，所述N+区的侧边区的上表面设有器件漏极金属，所述多晶硅栅极的上表面及其与所述器件源极金属之间、所述器件源极金属与器件漏极金属之间均水平铺设有所述介质隔离层。