您所在的位置: 成果库 氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法

氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法

发布时间: 2022-06-16

基本信息

合作方式： 技术咨询
成果类型： 发明专利
行业领域：
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍

 本发明提供一种氮氧化硅栅介质层的测量方法及半导体器件的制造方法，所述氮氧化硅栅介质层的测量方法包括：提供一衬底，衬底上形成有氮氧化硅栅介质层；获取氮氧化硅栅介质层的氮含量，并基于氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，得到有氮氧化硅栅介质层在氮含量下的补偿系数；利用氮氧化硅栅介质层的第一厚度及补偿系数及，获取氮氧化硅栅介质层的第二厚度，并以第二厚度作为氮氧化硅栅介质层的实际厚度。本发明中，通过氮含量与氮氧化硅栅介质层厚度的补偿关系，利用氮氧化硅栅介质层的氮含量获取其补偿系数，并结合其利用椭偏仪获得第一厚度，从而准确且及时获得氮氧化硅栅介质层的实际厚度。

成果亮点
团队介绍
成果资料