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一种CMOS开关电路

发布时间: 2022-06-01

来源: 科创项目库

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
高端产业
成果介绍

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种具有低插入损耗、高隔离度、低输入输出反射系数的CMOS单刀双掷收发开关，包括接收开关和发射开关。本发明采用深N阱技术，所述的全部晶体管的体都与地相连接，N阱都与电源电压相连接，从而最小化体与基质之间的电容；本发明采用电感匹配技术在三个端口实现阻抗匹配；本发明采用全部晶体管的栅极和衬底都串联电阻。本发明所提供的CMOS单刀双掷收发开关能有效降低射频信号的泄漏，降低开关的插入损耗，同时能够增大开关的隔离度。本发明所述的CMOS单刀双掷收发开关能够在1.8V低电压下，工作在0～20GHz，可集成到片上系统Soc或专用集成电路ASCI等。

成果亮点
团队介绍
成果资料