一种具有高自旋极化电子通道的拓扑绝缘体复合薄膜及其制备

本发明公开了一种具有高自旋极化电子输运通道的拓扑绝缘体异质复合薄膜，由6H-SiC(0001)或SrTiO3基片，和在基片上面利用分子束外延技术在超高真空系统中依次生长的拓扑绝缘体6QL?Bi2Se3和普通半导体3QL?Sb2S3组成。通过在拓扑绝缘体Bi2Se3表面覆盖Sb2S3，使复合薄膜的电学性能相较于单纯的Bi2Se3薄膜的性能有了显著的提升；狄拉克点由低于价带顶***变成了高于价带顶***，费米速度由提升到了，自旋极化率也由***提高至***；同时，自旋极化电子输运通道宽度由1nm左右提高至3nm，并可根据需要通过增加Sb2S3覆盖层的厚度进一步拓宽；Sb2S3覆盖层还能减小表面污