一种黑硅材料的制备方法

本发明提供了一种黑硅材料的制备方法，具体步骤如下：步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层。步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；步骤4，将表面有金字塔结构的单晶硅片中的的硅片置于H2O2、HF和AgNO3的混合溶液刻蚀；步骤5，步骤4将反应后的硅片，置于一定的浓度HNO3溶液中，超声清洗，以去除Ag颗粒，最终得到黑硅材料。