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一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器

发布时间: 2022-05-12

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
其他
成果介绍
  • 1.一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：步骤如下，(1)由硝酸铜和四苯硼钠制得的配合物为活性物制成PVB膜修饰电极；(2)支持电解质为强碱性溶液；(3)微分脉冲伏安法(DPV)实验条件，富集电位***+***，富集时间30-120s，静置时间5-120s，阴离子表面活性剂(SDS)的加入量与***处的微分脉冲还原峰的峰电流的增加在一定范围内存在线性关系，据此直接测定SDS的含量。
  • 2.根据权利要求1所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述硝酸铜和四苯硼钠的摩尔比1∶10，PVB浓度为***％～10％。
  • 3.根据权利要求1所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述硝酸铜和四苯硼钠的摩尔比1∶2，PVB浓度为2％。
  • 4.根据权利要求3所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述的强碱性支持电解质为碱金属或碱土金属的氢氧化物，如NaOH，KOH或Mg(OH)2.。
  • 5.根据权利要求1所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述微分脉冲伏安法的富集电位为***。
  • 6.根据权利要求1所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述微分脉冲伏安法的富集时间为90s。
  • 7.根据权利要求1所述的一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：所述微分脉冲伏安法的静止时间在60s。
成果亮点
团队介绍
成果资料