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碳化硅单晶衬底材料是第三代（宽禁带）半导体材料的典型代表，具有禁带宽度大、热导率高、击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高等优良的物理化学特性，是制备碳化硅电力电子器件、氮化镓微波功率器件和大功率高亮度LED的最佳衬底材料，属于高技术战略材料。其中基于碳化硅衬底的氮化镓微波器件功率密度较砷化镓器件提高5倍以上，散热性能好，可以极大提高微波系统的功率，减小体积，已经在雷达等军事电子装备中得到批量应用，而且也是未来5G通信的核心微波器件。碳化硅电力电子器件导通电阻比硅器件低1000倍左右，可大幅降低电力损耗，开关速度比硅器件高100倍左右，功率密度大幅度提升，在新能源汽车、光伏逆变、电力机车、高压速变电等领域有广阔的应用前景。 中国电子科技集团公司第四十六研究所我国专业电子功能材料研究所，是最早从事碳化硅单晶材料研究的单位之一。目前已经突破4-6英寸高纯半绝缘（用于微波器件）和N型导电（用于电力电子器件）碳化硅单晶衬底材料制备的技术，产品技术指标达到国际先进水平，国内领先。