一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法

一种In2S3纳米薄片阵列材料的制备方法，将硫源溶于去离子水，搅拌制成溶液，然后再加入锌盐和铟盐搅拌，配制成混合溶液；在聚四氟乙烯釜中放入衬底，然后将混合溶液转移到放有衬底的聚四氟乙烯釜中，再放入烘箱，升温至180~210℃，保温***~4小时，反应完毕后反应釜自然冷却至室温；取出衬底，用乙醇和去离子水反复冲洗后，放入烘箱中烘干，则得到In2S3纳米薄片阵列材料。本发明通过水热法以及用水作溶剂，方法简单、环保，且易于操作；不需要使用惰性气氛保护，条件简单；得到的纳米材料有着较大的比表面积、可见光响应和光电化学性能，且形貌均一。