一种常开型GaN FET的直接驱动电路
发布时间: 2022-05-09
基本信息
本发明公开了一种常开型GaN FET的直接驱动电路,包括驱动输入模块、LVMOS驱动模块、欠压保护模块、CSD模块和过电流保护模块,驱动输入模块输出信号至LVMOS驱动模块、CSD模块和JFET管J1,欠压保护模块和过电流保护模块分别输出信号至驱动输入模块,CSD模块分别连接欠压保护模块、LVMOS驱动模块、JFET管J1的漏极和GaN FET管F1的栅极,JFET管J1的源极分别连接P型LVMOSFET管L1的漏极和欠压保护模块,P型LVMOSFET管L1的源极分别连接欠压保护模块和GaN FET管F1的源极,P型LVMOSFET管L1的栅极连接LVMOS驱动模块,GaN FET管F1的漏极连接过电流保护模块。本发明能够降低开关损耗。
Copyright © 2022 中国科学技术协会 版权所有 | 京ICP备16016202号-20