一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法

本发明公开了一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器及其制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后以重掺硅为衬底材料，采用金属锌靶与掺杂金属靶共溅射在衬底上沉积掺杂氧化锌薄膜；最后在掺杂氧化锌薄膜上采用电子束蒸发制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。