一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器

本实用新型公开了一种基于掺杂氧化锌薄膜的电阻式存储器。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本实用新型存储器由重掺硅衬底、掺杂氧化锌薄膜、金属薄膜电极构成，掺杂氧化锌薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式存储器的上电极。本实用新型可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。