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一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法

发布时间: 2022-04-27

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利,新技术
行业领域：
其他
成果介绍

本发明公开了一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法，使用深硅刻蚀技术，完全剥离器件底部的硅衬底，再使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术从背面刻蚀掉AlN层、AlGaN层和部分n?GaN层来调控垂直谐振微腔长度；垂直谐振微腔顶部和底部的反射镜均由电子束蒸发技术沉积电介质布拉格反射镜实现；位于p型电极键合区下方的绝缘隔离层和顶部反射镜使用一步电子束蒸发工艺同时完成。在制备过程中，可以通过调控相关参数来实现激光波长和出射方向的选择，从而获得波长可调、激光出射方向可控的电泵浦硅衬底GaN激光器。本发明提出的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器成本低、制备工艺简单，可用于多个领域。

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