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一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置

发布时间: 2022-04-22

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利,新技术
行业领域：
其他
成果介绍

本发明公开了一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置，利用旋转法实现溶液内外反应速率差，从而分离原生多晶硅和石墨夹具；为了更好的实现这一方案，设计了包括电化学反应池、机械转动装置、超声波震动装置、腐蚀液清理装置和电源五部分在内的旋转分离结构。本发明通过旋转碳头料实现溶液内外的反应速率差，分离多晶硅碳头料的同时，减少了对溶液外多晶硅的腐蚀，降低了多晶硅的减重。本发明公开了一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，属于纳米技术领域。本发明的一种原子级平整单晶硅(100)表面的制备方法，以单晶硅(100)片为衬底，其步骤为：1)清洗衬底；2)在衬底上形成的氧化硅表面上制备氧化锶薄膜；3)制备原子级平整的单晶硅(100)表面，使用脉冲激光沉积技术在单晶硅(100)表面上沉积氧化锶薄膜，然后在超高真空条件下进行退火热处理，退火温度范围在550～650℃，退火时间控制在1～20min，即可获得具有原子级平整度的单晶硅(100)表面。本发明通过增加催化剂氧化锶薄膜，将在真空条件下去除单晶硅(100)表面氧化硅的温度从1100℃降低至550℃，节省能耗。

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