Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

本发明涉及微电子、多层相变薄膜材料的利用技术领域，具体涉及了一种Cu/SnSe多层相变薄膜材料并进一步公开其制备方法，以及Cu/SnSe多层相变薄膜材料用于高速、低功耗相变存储器的应用。本发明所述多层薄膜材料通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层，在纳米量级复合而成。通过磁控溅射交替沉积Cu和SnSe层制作的多层相变薄膜材料取得了较好的性能优势，从而得到一种在相变前后的电阻率较大，在SET和RESET过程中所需的能量较少，大大降低PCM器件的功耗的Cu/SnSe纳米复合多层。