一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法

本发明公开了一种三明治结构硅基薄膜电极体系及其制备方法，包括硅基板，硅基板上覆盖有一层SiCN阻挡层，SiCN阻挡层上覆盖有一层Al薄膜层，Al薄膜层上覆盖有一层SiAlCO过渡层，SiAlCO过渡层上设有负极材料层；所述的负极材料层由两层硅膜层和一层位于硅膜层中间的SiAlCO层组成。本发明可以大大缓解硅薄膜在充放电时的产生体积变化，从而解决了薄膜电极循环稳定性差和倍率性能差的不足的问题。