一种硅碳基高温氢气传感器及其制备方法
发布时间: 2022-04-20
基本信息
本发明公开了一种硅碳基高温氢气传感器,包括单晶硅基板(1),在单晶硅基板(1)上依次设有二氧化硅层(2)、硅碳基薄膜层(3)、SiAlCO层(4)和电极(5)。制备方法按下述步骤进行:①对单晶硅基板进行预清洗;②重复3‑4遍步骤①,再在真空干燥箱中烘干;③在真空条件下对单晶硅基板进行离子束溅射清洗;④在氩气作为工作气体的环境下,采用磁控溅射的方法将靶材溅射到衬底上;⑤在基板溅射单元制作电极形成传感器。本发明具有优异气敏特性和高温可靠性的特点。