一种预测多孔SiCO陶瓷气敏性能模拟方法

本发明公开了一种预测多孔SiCO陶瓷气敏性能模拟方法，按下述步骤进行：①基于模拟退火法建立非晶态的SiCO结构初始模型；②基于腐蚀模拟法建立多孔SiCO结构模型；③基于气体分子嵌入法，将不同的气体分子附着在多孔SiCO结构的表面,形成吸附气体分子的多孔SiCO结构模型；④通过对吸附气体分子的多孔SiCO结构模型的性能参数进行预测多孔SiCO结构模型的气体感应特性。本发明具有良好的准确性和实用性，可以有效的对具有类似纳米结构的材料进行分析设计，可有效提高新型气敏材料的开发效率。