一种氮化钛-聚吡咯纳米柱阵列材料及其制备方法和应用

本发明涉及一种氮化钛聚吡咯纳米柱阵列材料的制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1.以碳纸作为基底材料，在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列，得到负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸；S2.将负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸进行氮化处理，得到负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸；S3.采用常规脉冲伏安法，在负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸上沉积聚吡咯，得到氮化钛聚吡咯纳米柱阵列材料。本发明制备的氮化钛聚吡咯纳米柱阵列材料，由于氮化钛纳米柱的导电性高、比表面大，每一根氮化钛纳米柱均被一层均匀的聚吡咯完全包裹，提高了材料的比电容。