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一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法

发布时间: 2022-04-15

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 技术许可
成果类型： 发明专利
行业领域：
新材料产业,制造业
成果介绍

本发明公开了一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法，所述的方法为：纯度为99.999％的PbO和WO粉料除去水分后，按化学计量比配料，混合均匀，置于坩埚烧料，然后升温使原料熔化，快速注入模具中，降温得到多晶锭；将所得多晶锭放在坩埚内，以预先准备好的同质晶体作为籽晶，在坩埚中进行接种和定向生长，生长速率为0.4～0.9mm/h，生长界面温度梯度20～30℃/cm；晶体生长结束后，将所得PWO晶体与坩埚移到低温区，进行退火处理以消除热应力，减少晶体开裂。本方法的有益效果在于：可生长不同尺寸的板状晶体，能够实现原位退火，包括通入不同气氛进行晶体退火，一步到位，简化了晶体生长的工序，降低了成本，有利于实现该晶体工业化。

成果亮点
团队介绍
成果资料