需求发布 成果发布 科创案例库 揭榜挂帅
技术路演 会议展览 科创联合体 项目申报
前沿动态 科技政策 院士开讲 青托工程
科技服务团 学术资源
试点城市(园区) 双创活动周
协作站点 学会服务
问题库 项目库 开源库
English
您所在的位置: 成果库 居里温度超过室温的新型稀磁半导体的应用

居里温度超过室温的新型稀磁半导体的应用

发布时间: 2022-03-21

来源: 试点城市（园区）

基本信息

合作方式： 合作开发
成果类型： 发明专利
行业领域：
其他
成果介绍

        具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体，具有许多新奇的物理效应，在信息技术领域已展现出非常广阔的应用前景。但是传统的稀磁半导体中自旋和电荷的捆绑效应制约了磁性和电性的调控维度，材料的质量依赖于制备方法并对热处理过程有高的敏感性，且居里温度过低严重限制了其应用范围。而基于I-II-V 族的新型稀磁半导体，载流子浓度可通过改变碱金属的含量独立调控，能够实现自旋和电荷注入机制的分离，有效提高居里温度。该项目已开发出一种居里温度超过室温的新型稀磁半导体，初步达到满足实用条件的需求，拟与企业对接开发出相关应用。

成果亮点
团队介绍
成果资料