科创中国

半导体硅材料近年来在我国有了迅猛的发展。特别是随着光伏行业的迅速崛起，带动了我国多晶、单晶以及硅片的飞速发展。目前，硅材料的用量之大、从事硅材料行业的人员之多都是我国历史上从来没有的。硅材料缺陷是产品质量的最重要的指标，也是供需双方最关注的问题之一。根据国家标准化管理委员会《关于下达2008年第一批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2008]77号）的要求，由有研半导体材料股份有限公司负责起草、《硅材料原生缺陷图谱》国家标准，计划编号20080032-T-469。本标准项目旨在对硅材料缺陷等结构特征、表征方法和形成原因以图片结合文字的形成建立统一的规范描述，从而对半导体硅材料的发展和技术进步起到指导和促进作用。

该标准中对各种常见类型的缺陷，结合图片进行了缺陷形态、产生原因以及消除或抑制方法的描述，也对目前国际上关注的问题进行了探讨，是目前国内外最全面、最实用的硅材料原生缺陷图谱。该标准首次增加无铬腐蚀缺陷图谱，有利于减少对人员和环境的伤害。该标准的发布为硅材料行业提供缺陷判别的参考，同时也为供需双方提供了鉴别标准，对规范缺陷检验和鉴别提供了非常好的依据。

标准颁布实施以来，已在乐山市产品质量监督检验所、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司等多家半导体材料企业应用，收到广泛好评，具有很好的经济效益和社会效益。它的实施不仅为供需双方提供了合同及检验的依据标准，也对生产和科研具有很强的实用性和指导意义，更有利于我国硅材料行业与国内外同行的交流与合作，极大地提升了我们的竞争力和影响力。该标准满足我国当前的半导体行业现状，有利于促进我国半导体行业与国际标准接轨，对半导体材料的发展核技术进步起到指导和促进作用。该标准填补了国际空白，达到了国际先进水平。