科创中国

本发明公开了一种HEMT的温度相关的I-V特性及其高阶跨导的模型，建模包括( 1 )测试HEMT的漏源电流Ids；对步骤( 1 )漏源电流Ids测试数据进行处理，从而得到测试的漏源电流Ids的一阶跨导gm，二阶跨导gm2和三阶跨导gm3；(3)基于人工神经网络建立漏源电流Ids的仿真模型；计算步骤( 3 )建立的漏源电流Ids的仿真模型的跨导，从而得到漏源电流Ids的仿真模型的gm，gm2和gm3；计算步骤( 3 )建立的仿真模型的精度，若仿真模型的精度不满足实际需求，则返回步骤( 3 )；反之，所得仿真模型即为所求。本发明可针对于不同工艺HEMT建立温度相关的I-V特性及其高阶跨导模型，适用面广，移植性强。