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二氧化钛薄膜氢气传感器及其制备方法

发布时间: 2021-08-26

来源: 科技服务团

基本信息

合作方式: 技术许可
成果类型: 发明专利
行业领域:
新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业
成果介绍

本发明提供了一种二氧化钛薄膜氢气传感器及其制备方法,通过预沉积的TiO 2 籽晶层,一方面可隔绝FTO导电层与水热生长TiO 2 层,降低通过FTO导电玻璃层的漏电流,提高二氧化钛薄膜氢气传感器检测灵敏度;第二方面,作为缓冲层和籽晶层,为下一步水热合成TiO 2 纳米阵列薄膜层提供了更高密度的籽晶层,有效增加了薄膜TiO 2 纳米棒阵列的密度;第三方面,将磁控溅射、水热合成两种制备方法相结合,可提高TiO 2 纳米阵列薄膜层的晶粒取向性,最终制备出的二氧化钛薄膜氢气传感器不但拥有优良的检测灵敏度和稳定性,更重要的是能满足25±5℃下检测氢气的要求,无需额外加热系统,成本相对其他方法更低。在25±5℃下探测极限可以达到1ppm,采用1V的电压源做驱动,其电阻变化高达4%。

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