科创中国

本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件，实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究，该技术属于我国“卡脖子”技术，目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面，开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺，包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜，突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜的难题，在国际上率先开发出并产业化300-900纳米厚度铌酸锂单晶薄膜产品。在器件研制方面，研究滤波器的损耗机理、性能优化和杂波抑制方法，解决了射频前端模块高性能 SAW 器件小型化的实际应用难题，在国际上首次发表了杂波形成机理及其改善方法，主导设计的铂电极温度补偿型SAW器件面积缩小至现在的70%左右，目前该技术已处于中试阶段，后年底预计年产1.8亿只滤波器。