科创中国

中心通过“装备与工艺的协同创新”，创新发展了具有自主产权的大科学装置—MOCVD高端装备，并在硅衬底上生长第三代半导体InGaN黄光LED材料，取得了历史性突破，将黄光LED的光效由国际上报道的不足10%，提升到了27.9%，结束了国际市场上长期缺乏高光效黄光LED的局面。国际同行、诺贝尔奖获得者中村修二教授高度称赞这项成果：“硅基黄光LED的技术水平国际领先，这是属于中国人首次发明的照明技术，它有非常大的价值。”陈良惠院士领衔的12位业内专家，对高光效黄光LED的鉴定意见为：“该项目解决了国际上长期未能突破的高光效黄光LED的关键问题，创造了黄光LED光效的国际最高值，具有里程碑意义。”

       以高光效的黄光LED为核心，研制了不用荧光粉的低色温照明光源——金黄光LED，其色温为2000K左右，光谱中包含了赤橙黄绿四种颜色，不包含对眼睛、睡眠、生物钟等有影响的蓝紫光，是夜间照明的一种健康照明光源，发光效率达到160 lm/W，低电流密度下光效可高达220 lm/W，技术指标远超过荧光型技术路线实现的同色温光源，解决了LED荧光技术实现的超低色温光源存在的光效不高、光衰较大、显色不足的难题。