基于氧化锌外延透明电极结构的新型高效大功率LED芯片技术、MOCVD装备及其产业化

本技术成果开发了ZnO基TOS薄膜材料的MOCVD外延生长和核心装备制造技术，解决了具有ZnO透明电极的LED芯片其工作电压过高的世界性工艺技术难题，并形成了完整的专利布局，突破了现有LED芯片中传统NiAu和ITO技术的专利壁垒，在世界上率先实现了具有ZnO透明电极结构的新型高效大功率LED芯片的中试生产，预期产生的经济效益逾20亿元。