新型磁随机存取存储器

本项目研制了一种新型的磁随机存取存储器（MRAM）原理型器件，这种新型磁随机存取存储器摈弃了传统的采用椭圆形磁性隧道结作为存储单元和双线制脉冲电流产生和合成脉冲磁场驱动比特层磁矩翻转的做法，而是采用纳米尺度下的闭合型磁性隧道结作为存储单元，并采取正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的工作原理，可以克服常规MRAM所面临的相对功耗高、存储密度低等瓶颈问题。