一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法

本发明公布了一种高阻尼形状记忆合金及其制备方法，该形状记忆合金的化学式为Ni55‑xCuxMn25Ga20(0≤x≤6)；按照Ni55‑xCuxMn25Ga20的化学计量比，将Ni、Cu、Mn和Ga单质放入电弧熔炼炉中，并抽真空再充入氩气在110A下熔炼得到铸锭，并将铸锭反复熔炼后经高温固溶处理后淬火至室温，得到高阻尼形状记忆合金。对Ni55‑xCuxMn25Ga20形状记忆合金体系的阻尼测试表明，这些样品具有高阻尼峰，阻尼峰值Q‑1均大于***，最大峰值达到***。阻尼峰的温度范围很宽，可达到200K‑430K，完全覆盖环境温区，且阻尼峰不随频率变化、稳定性高，具有实际应用价值。