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摘要：本申请公开了一种平行光微光斑光学关键尺寸检测方法，采用该检测方法，能够分析微电子结构中垂直侧壁结构与非垂直侧壁结构。该检测方法先通过光谱仪检测到样品的关注参数曲线，再通过建立样品结构光栅周期、占空比、光栅厚度等关键尺寸信息的微电子周期结构物理模型，模拟计算出样品的零级衍射率曲线，并将模拟所得零级衍射率曲线与光谱仪检测到的零级衍射率曲线拟合分析，最终反演出待测微电子周期结构的关键尺寸。本申请公开了一种用于上述方法的检测装置，该装置能够检测分析微电子结构中垂直侧壁结构与非垂直侧壁结构，且对非垂直侧壁结构检测分析速度快。该方法及装置能够对非垂直侧壁结构进行快速检测分析。