高转化率硅基单结多叠层PIN薄膜太阳能电池及其制造方法
发布时间: 2022-05-12
来源: 科创项目库
基本信息
本发明提出了硅基单结多叠层薄膜太阳能电池及其制造方法,电池结构为基片/TCO/n-μc-Si1-xGex/i-μc-Si/i-A-Si1-xGex/i-A-Si/I-μc-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜,这种单晶多叠层PIN结构,其i层可以从上述六种材料中选用组成二层,三层,四层,五层和六层级结构;本发明采用激光结晶工艺,等离子掺杂工艺和PECVD过度层工艺来改善各层之间的界面性能,如降低各叠层之间的界面电阻和增强薄膜材料结晶性能,并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性。电池转换效率可望达到12%-15%,并具有较好的稳定性。