科创中国

　　本项目所依据的核心技术已经在合作方上海交通大学实验室完成了实验验证，通过与国内知名覆铜板上市公司共同完成超低轮廓铜箔的结合强度表征，性能指标达到甚至部分超过国外性能数据，依据目前的技术成熟度，可以满足目前业界所采用的高端进口电子铜箔，粗糙度Rz1.0-1.5微米，Rq0.2-0.3微米，结合强度0.8-1.2N/cm，对标于国外HVLP2极低轮廓，满足极低损耗（very low loss）高频高速信号传输的使用要求；根据未来产品的发展趋势以及业界知名公司的产品的研发动态，研发团队在实验室以有机无机互穿界面层作为键合桥梁，实现了无微粗化处理铜箔（光滑铜箔）与树脂板之间的有效高强结合的验证，该类产品可以对标于国外实验室的处于研发阶段的HVLP3超低损耗（Ultra low loss，Rz<1.0微米）铜箔，未来1-2年内将实现Rz<0.5-0.8微米粗糙度超光滑铜箔与树脂板之间的高强结合，从技术发展趋势而言，界面中间层的方法将取代目前国内铜箔厂商和覆铜板厂商广泛采用的表面微粗化连续电沉积工艺，对业界而言具有颠覆性意义。