需求解析

技术需求基本信息

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技术需求解析

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技术研发指南

针对硅片制造过程中对warp值的控制。在单晶硅的密排结构为面心立方结构,单晶硅的密排面为(111),密排方向为《110》晶向。 对于《100》晶向的晶棒,在《100》晶向的晶棒的柱面上有四个等效的《110》晶向的参考面。

在多线切割过程中,旋转角不同的情况下warp均值上下浮动,但是当notch和钢线网的角度关系为-90 ° 、90 ° 时,warp值较好,位于10以下,这是因为在90 ° 、-90 ° 对应晶体结构中的晶向是《110》晶向(即入刀口的晶向是《110》),故warp值较好。

现有技术常采用将晶棒在工件板上旋转及摆动后接着,此方法存在牺牲硅片面方位,来确保warp值的可控,但是对于硅片面方位要求低的产品,例如0.1 ° 的产品就不能正常加工,此时就会存在面方位和warp的取舍问题。

需要一种新的三维调整大尺寸单晶硅棒晶向的接着方法,既能保证warp值的控制,又能满足不同产品的加工需求。

需要无缺陷产品、极低电阻率产品、低氧产品;技术参数:COP19nm 颗粒小于 10 个;红磷电阻率≤0.0009Ω.cm;氧含量<3ppma。解决此类问题后可以拓宽市场,增加订单量,满足所有半导体类衬底需求市场。

希望与全国材料专业排名前 5 的大学合作,比如清华大学、北京航空航天大学材料学院、武汉理工大学、北京科技大学、哈尔滨工业大学;希望可以共同创建集成电路半导体级材料相关论坛、学术交流;希望宁夏地区多与上海深圳等半导体发达地区交流合作,招商引资晶圆材料产业链企业。

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