技术需求基本信息
技术需求解析
技术研发指南
近年来,我国食用植物油消费量持续增长,需求缺口不断扩大,对外依存度明显上升,供需矛盾日益突出。一直以来,油脂加工企业为了提高得油率,对大豆、油菜籽、花生等大宗油料作物制油采用的加工方式是预榨→浸出→精炼的传统工艺。由于能耗高、污染大、化学溶剂残留等不利因素,既不符合国家发改委颁布的《产业结构调整指导目录(2019年本)》政策,更不能满足广大消费者对绿色、健康、环保的食用油需求。发展一次压榨制油工艺,增强健康优质食用植物油供给能力,已成为迫切需要解决的关乎国计民生的大事。
目前国内外在线应用的榨油机,普遍存在产量较小(日处理量≤45t/d)、干饼残油率高>10%),且在油料加工过程中需依附破碎、轧坯、蒸炒等设备及工艺,不仅功能单一、稳定性差,工艺路线长、能耗高、且普遍存在高值加工问题。据科技查新,国内外大处理量榨油机均以预榨机为主,不适用于常温压榨,尚未有适用于油料常温整颗粒入榨、一次压榨制油加工能力达100t/d以上的大型榨油机。因此,研制适用于油料整颗粒常温入榨、不需依附破碎、轧坯、蒸炒等设备及工艺,一次压榨制油加工能力达100t/d以上的大型常温榨油机对我国油脂加工业的发展具有重要意义,也符合粮油适度加工、减损增效的要求。
近年来,各种晶体材料,特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展,成为当代信息技术产业的支柱,并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能,亟待开发利用的高科技资源,正引起越来越多的关注和重视。
目前,我国已成为全球最大的单晶硅生产国。随着我国单晶硅生产技术的迭代未来我国单晶硅将在能够提高组件功率、降低成本的大尺寸硅片方向发展。
产业概况
晶体材料的重要组成部分
单晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加;有显著的半导电性。
超纯的单晶硅是本征半导体,在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成P型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成N型硅半导体。
它在不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导体材料。由于单晶硅具有显著的半导电性,作为一种比较活泼的非金属元素晶体,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。高性能单晶硅的纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上,可用于制造半导体器件、太阳能电池、芯片等。
本产品一机多用,能够适应油料低温、适温、高温等不同制油工艺,需解决:
1.将榨油机变速箱和传动箱合为一体后,两根螺旋主轴受拉力影响较大,如何保证双螺旋榨油机的同心度和强度,确保榨油机运行稳定。
2.在取消破碎、扎胚、蒸炒等设备及工艺段后,如何合理设计双螺旋压榨轴,榨螺、衬圈尺寸及配置,增强破碎剪切能力以及合适的压缩比,实现油料整颗粒压榨,使油料爬坡角度小,油料受阻力小,产量增大,且实现多级压榨,提高出油率,降低饼中残油,大幅降低能耗。
3.榨油机运行时榨膛内各工艺段温度不同,如何精准检测及智能控制各料段温度以及榨膛压力,以及电流过载保护等智能化控制。
需要无缺陷产品、极低电阻率产品、低氧产品;
技术参数:COP19nm 颗粒小于 10 个;红磷电阻率≤0.0009Ω.cm;
氧含量<3ppma。解决此类问题后可以拓宽市场,增加订单量,满
足所有半导体类衬底需求市场。
a.榨油机生产能力:100~150t/d;
b.干饼残油率(一次压榨):6.5~7.5;
c.油料入榨温度(℃):常温;
d.节能降耗指标:>40%,e.油料入榨水分在线检测及智能控制:<9%;
f.榨油机运行时榨膛内各工艺段在线温度检测及智能控制:进料段<90℃、压榨段<110℃、沥干挂<110℃、出饼段<130℃;
g.榨油机运行时榨膛压力在线检测及智能控制:<50Mpa。
三维调整大尺寸单晶硅棒晶向的接着方法的研发指标主要包括以下几个方面:
测量精度:该方法需要具备高精度的测量能力,能够准确地测量出单晶硅棒的晶向偏差。测量精度越高,修正效果越好,单晶硅片的质量和性能也就越高。
修正精度:在测量完成后,该方法需要对单晶硅棒进行高精度的修正,使得晶向偏差得到有效纠正。修正精度越高,单晶硅片的性能也就越好。
自动化程度:该方法需要具备较高的自动化程度,能够实现自动化测量和修正,减少人工干预和操作。自动化程度越高,生产效率也就越高,同时也可以降低生产成本。
适用范围:该方法需要适用于不同尺寸和类型的单晶硅棒,能够实现对各种单晶硅棒的高精度调整。适用范围越广,推广价值也就越高。
操作简便性:该方法需要具备简单的操作界面和操作流程,使得操作人员能够轻松上手使用。操作简便性越好,使用效率也就越高。
以上是三维调整大尺寸单晶硅棒晶向的接着方法的研发指标,通过对这些指标的评估和优化,可以不断提高该方法的技术水平和实用性。
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