需求解析

技术需求基本信息

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技术需求解析

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技术研发指南

GaN器件的衬底材料一般为硅、碳化硅、蓝宝石三种,其中硅基AlGaN/GaN HEMT因 为其价格低、良好的晶圆尺寸可伸缩性而备受青睐。尽管良好的材料特性和异质结特性,但 硅基GaN HEMT的关态击穿电压仍然远低于理论上的极限值,这极大的限制了其在高压开关 领域中的应用。

硅基GaN HEMT中,由于衬底硅并非如碳化硅、蓝宝石那样完全绝缘,所以其关态击 穿特性与常规的HEMT器件不同:硅基GaN HEMT的关态击穿电压随着栅漏间距的增大会逐渐 饱和而非逐渐增大。饱和关态击穿电压的大小在栅漏间距不是很大时,与垂直方向上的外 延层厚度有直接关系。基于晶格失配以及大晶圆尺寸下弯曲度等的考量,外延层不能太厚, 因此在提高硅基GaN HEMT的关态击穿电压方面具有一定的挑战。

此技术需解决:

1.目前主要技术问题器件的性能及可靠性能力未达到产业化预期。需提高器件的属性以达到增强该设备的可靠行。

2.需要达到5G通信要求更高的功率、更高的线性度、更高的工作频率(毫米波段)以及更高的效率

a GAN射频器件主要完成样品制作,器件性能达到目前市场主流水平的同时与MOS产品的平台良好兼容。

b GaN Wideband Power Amplifier,28V,5W,20-2700MHz样品参数性能达到业内旗舰公司MACOM同等水平。

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