技术需求基本信息
技术需求解析
技术研发指南
近年来,我国食用植物油消费量持续增长,需求缺口不断扩大,对外依存度明显上升,供需矛盾日益突出。一直以来,油脂加工企业为了提高得油率,对大豆、油菜籽、花生等大宗油料作物制油采用的加工方式是预榨→浸出→精炼的传统工艺。由于能耗高、污染大、化学溶剂残留等不利因素,既不符合国家发改委颁布的《产业结构调整指导目录(2019年本)》政策,更不能满足广大消费者对绿色、健康、环保的食用油需求。发展一次压榨制油工艺,增强健康优质食用植物油供给能力,已成为迫切需要解决的关乎国计民生的大事。
目前国内外在线应用的榨油机,普遍存在产量较小(日处理量≤45t/d)、干饼残油率高>10%),且在油料加工过程中需依附破碎、轧坯、蒸炒等设备及工艺,不仅功能单一、稳定性差,工艺路线长、能耗高、且普遍存在高值加工问题。据科技查新,国内外大处理量榨油机均以预榨机为主,不适用于常温压榨,尚未有适用于油料常温整颗粒入榨、一次压榨制油加工能力达100t/d以上的大型榨油机。因此,研制适用于油料整颗粒常温入榨、不需依附破碎、轧坯、蒸炒等设备及工艺,一次压榨制油加工能力达100t/d以上的大型常温榨油机对我国油脂加工业的发展具有重要意义,也符合粮油适度加工、减损增效的要求。
GaN器件的衬底材料一般为硅、碳化硅、蓝宝石三种,其中硅基AlGaN/GaN HEMT因 为其价格低、良好的晶圆尺寸可伸缩性而备受青睐。尽管良好的材料特性和异质结特性,但 硅基GaN HEMT的关态击穿电压仍然远低于理论上的极限值,这极大的限制了其在高压开关 领域中的应用。
硅基GaN HEMT中,由于衬底硅并非如碳化硅、蓝宝石那样完全绝缘,所以其关态击 穿特性与常规的HEMT器件不同:硅基GaN HEMT的关态击穿电压随着栅漏间距的增大会逐渐 饱和而非逐渐增大。饱和关态击穿电压的大小在栅漏间距不是很大时,与垂直方向上的外 延层厚度有直接关系。基于晶格失配以及大晶圆尺寸下弯曲度等的考量,外延层不能太厚, 因此在提高硅基GaN HEMT的关态击穿电压方面具有一定的挑战。
本产品一机多用,能够适应油料低温、适温、高温等不同制油工艺,需解决:
1.将榨油机变速箱和传动箱合为一体后,两根螺旋主轴受拉力影响较大,如何保证双螺旋榨油机的同心度和强度,确保榨油机运行稳定。
2.在取消破碎、扎胚、蒸炒等设备及工艺段后,如何合理设计双螺旋压榨轴,榨螺、衬圈尺寸及配置,增强破碎剪切能力以及合适的压缩比,实现油料整颗粒压榨,使油料爬坡角度小,油料受阻力小,产量增大,且实现多级压榨,提高出油率,降低饼中残油,大幅降低能耗。
3.榨油机运行时榨膛内各工艺段温度不同,如何精准检测及智能控制各料段温度以及榨膛压力,以及电流过载保护等智能化控制。
此技术需解决:
1.目前主要技术问题器件的性能及可靠性能力未达到产业化预期。需提高器件的属性以达到增强该设备的可靠行。
2.需要达到5G通信要求更高的功率、更高的线性度、更高的工作频率(毫米波段)以及更高的效率
a.榨油机生产能力:100~150t/d;
b.干饼残油率(一次压榨):6.5~7.5;
c.油料入榨温度(℃):常温;
d.节能降耗指标:>40%,e.油料入榨水分在线检测及智能控制:<9%;
f.榨油机运行时榨膛内各工艺段在线温度检测及智能控制:进料段<90℃、压榨段<110℃、沥干挂<110℃、出饼段<130℃;
g.榨油机运行时榨膛压力在线检测及智能控制:<50Mpa。
a GAN射频器件主要完成样品制作,器件性能达到目前市场主流水平的同时与MOS产品的平台良好兼容。
b GaN Wideband Power Amplifier,28V,5W,20-2700MHz样品参数性能达到业内旗舰公司MACOM同等水平。
解析专家署名