需求解析

技术需求基本信息

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技术研发指南

为全面落实“三高四新”战略定位和使命任务,按照省委省政府有关决策部署,进一步加强前沿性、引领性和关键共性技术攻关,提升科技创新支撑引领作用。研发新一代人工智能共性关键技术以服务湖南中小企业发展科技创新。

1)石墨表面与 SiC 涂层结合强度问题:基于自主研 制的化学气相沉积装备,通过界面设计和引入 PyC 过渡层,采用 CVD 工艺在经过纯化和表面改性的石 墨基座表面分别制备 PyC、SiC 界面层,解决因石墨 基底与 SiC 涂层之间的热膨胀系数差异大导致的涂 层脱落或开裂等问题;

 2)大尺寸 SiC 涂层的均匀沉积问题:研究 PyC、SiC 界面层生长动力学及其生长机理,以及多种沉积条 件(温度,时间,压力和气体等)对界面层沉积的 影响,实现大型沉积系统沉积压力的精密和温场/流 场均匀性可控,攻克获得高质量大尺寸 SiC 涂层石 墨基座的关键核心技术难题;

 3)稳定批产问题:建立一套针对界面层的包括沉积 厚度、均匀性、微观结构、界面层结合状态以及热 导率的评估体系,实现沉积质量与关键工艺控制点 的对应,为高品质 SiC 涂层石墨基座的规模化制备提供支撑。

1)热导率≥200W/m·K(交叉热线法); 

2)B、Al、Fe、V≤50ppb,总杂质含量<5ppm(GDMS);

3)涂层全包裹,厚度≥100μm(SEM);

4)表面粗糙度≤5μm(纳米压痕法)。

5)技术成熟度、条件: 研制满足技术指标要求的 SiC 涂层石墨基座,形成 SiC 涂层石墨基座生产线 1 条,具备 SiC 涂层材料的 批量生产的能力,技术成熟度达到 7 级。

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