科创中国

培训需求：1、办公软件培训。目前我公司人员在数据收集及制图方面有所欠缺，无法直观明确的表达所述问题，需要科创中国能够提供专业的人员针对python或office等数据软件进行培训；

2、专利技术交底编辑培训。公司人员对于发明专利技术交底的编辑缺少技巧，导致审核屡屡被驳回，故需要科创中国能够提供相关的专业培训平台。

检验检测平台需求：目前宁夏境内能够进行产品认证的平台较少且价高较高，希望“科创中国”提供较为合适的检测机构，能够满足产品检测的需求。

技术需求：1、数字化研究：现在工业企业已进入数字化信息时代，自动化现已无法满足企业的发展需求，在数字化研究方面，急需企业数字化建设。

2、清洗技术研究：目前清洗技术停滞不前，从根本上解决不了复拉料清洗后品质较低的问题，现急需突破此项技术瓶颈；

3、氧含量技术研究：单晶硅产品氧含量不稳定是整个行业的问题，对于平均单晶硅氧含量平均及其稳定性技术研究极为迫切。

4、电阻率控制：N型产品在掺挟过程中电阻率范围太窄，以及大直径硅片电阻分布不均，如何更好地控制电阻率将是我们接下来研究的内容。

5、提拉速：单晶硅片的需求量在未来几年只会增不会减，为能满足市场需求，单晶提产迫在眉睫，如何满足能在提高拉速的同时保证热场梯度稳定且单晶硅能够匀速生长。

人才需求：企业数字化建设相对于东部地区有所滞后，企业需要数字化建设相关人才的引进与培育。

本项目需求主要包含如下几个方面：

1、数字化研究：现在工业企业已进入数字化信息时代，自动化现已无法满足企业的发展需求，在数字化研究方面，急需企业数字化建设。

2、清洗技术研究：目前清洗技术停滞不前，从根本上解决不了复拉料清洗后品质较低的问题，现急需突破此项技术瓶颈；

3、氧含量技术研究：单晶硅产品氧含量不稳定是整个行业的问题，对于平均单晶硅氧含量平均及其稳定性技术研究极为迫切。

4、电阻率控制：N型产品在掺挟过程中电阻率范围太窄，以及大直径硅片电阻分布不均，如何更好地控制电阻率将是我们接下来研究的内容。

5、提拉速：单晶硅片的需求量在未来几年只会增不会减，为能满足市场需求，单晶提产迫在眉睫，如何满足能在提高拉速的同时保证热场梯度稳定且单晶硅能够匀速生长。

1.硅清洗技术研究：高质量晶片的需求越来越大，特别是表面上几乎没有金属杂质、颗粒和有机物的高度洁净的晶片。为了生产高清洁度的晶片，有必要通过对表面杂质行为的实验和理论分析来建立晶片表面清洁技术。

2.电阻率控制研究：采用普通工艺拉制高阻n型（111）Φ100mm电阻率在38~550.cm硅单晶.电阻率径向不均匀性在20%左有或更高：采用提高最转速度，增加拉速等：可以使电阻率径向不均匀性控制在15%~20%，而采用一般的磁场拉晶工艺，可使硅片电阻率不均匀性控制在15%以内，采用改进的磁场拉晶工艺，电阻率不均匀性可控制在10%以内。

3.单晶提拉速研究：解决硅单晶提拉生长过程中拉速不稳定、波动较大的问题，在分析品体生长界面热量及质量传输的基础上，控制温度补偿速率来抑制拉速大幅波动。