首页
科创库
科创路演
试点城市(园区)
科创圈
科创微视
科创前沿
我的交易
我的会议
我报名的路演会议
我的资讯
我的消息
我的动态
个人资料编辑
退出登录
登录
|
注册
科创中国
需求发布
成果发布
科创案例库
揭榜挂帅
技术路演
会议展览
科创联合体
项目申报
前沿动态
科技政策
院士开讲
青托工程
科技服务团
学术资源
试点城市(园区)
双创活动周
协作站点
学会服务
搜索
问题库
项目库
开源库
English
我的交易
我的会议
我报名的路演会议
我的资讯
我的消息
我的动态
我的需求
我的成果
我的
个人资料编辑
退出登录
登录/注册
组织入驻
您所在的位置:
首页
项目库
高品质8英寸硅片制备技术及产业化
科技成果综合评价报告详情
科技成果综合评价报告
*
成果名称
*
分类
*
所属单位
*
联系人
*
联系电话
*
成果简介
项目来源于2017-2020年有研半导体硅材料股份公司及山东有研半导体材料有限公司的自立项目: “8寸重掺单晶针孔控制”、“8寸低阻掺砷单晶研制”、“8英寸直拉单晶微缺陷控制”、“8英寸低表面微粗糙度轻掺硅片研制”、“8英寸SOI用硅片加工技术研发与产品试制”、“单晶过程数据分 析系统研发与应用”、 “改善喷砂损伤密度评估精确度”、“数字化生产”、“8英寸COP-Free单晶 研制”、“8 英寸重掺As 超低阻硅单晶研发与硅片试制”、“8 英寸重掺红磷超低阻硅单晶研发与硅片试制”等的成果转化。 作为国内龙头供应商,系列产品通过河北普兴电子科技股份有限公司、南京国盛电子有限公司、上海新傲科技有限公司、中芯国际集成电路制造股份有限公司等公司的产品认证和质量体系认证,整体技术达到国际先进水平,部分指标达到国际领先。 项目开发出逻辑电路、IGBT、MEMS等领域用高品质8英寸硅片制备技术,为我国先进物联网、5G通讯、工业自动化等产业 持续发展奠定坚实基础。
*
创新水平
关键共性技术
前沿引领技术
现在工程技术
颠覆性技术
其他
*
技术进度
新设备或新装置
样机原理
工程样机
中试原型机
产业化
新材料或新技术
实验室阶段
工程化阶段
产业化阶段
技术成果
专利
奖项
*
产品方向
有多个应用方向
有一个应用方向
没有应用方向
无法判断
*
市场空间
需求前景巨大
需求前景较大
需求前景一般
无法判断
*
成本竞争
优势明显
优势一般
没有优势
无法判断
*
政策影响
政策鼓励
政策限制
政策淘汰
无法判断
*
市场周期
进入期
成长期
饱和期
衰退期
无法判断
*
转化周期
近期可控(1年内)
周期较长(2年内)
很难转化(3年起)
无法判断
*
科技成果的创新基因评价
突破了硅晶体COP等缺陷的控制技术并开发出缺陷密度自动计数程序,制备出COP-Free晶体材料、车规IGBT用晶体材料、MEMS用等晶体材料并实现产业化;2)制备出重掺超低电阻晶体材料,制备出氧浓度分布均匀的晶体材料;3)突破了高品质8英寸硅片超高平坦度、近边缘形态、超洁净表面等关键加工技术;4)开发出硅片形状分析系统,大量采用先进制造技术,使生产过程及产品品质高度一致并可追溯。制定国家标准6项;授权发明专利10项;技术创新程度高。
不少于150字
*
科技成果的技术亮点评价
8英寸硅片,是用于半导体领域的直径8英寸圆形薄片,成分为高纯硅,单晶形态,是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料。近年来,随着物联网、人工智能、汽车电子和区块链等新兴技术的快速发展及移动终端的普及,市场对大尺寸硅片的需求日益增加。国外在高端8英寸硅片已经有多年研究和产品应用经验,美国的MEMC开发了完美硅单晶技术和魔幻洁净区技术,日本的SUMCO开发了氩气退火等技术,日本Covalent开发了氢退火技术,德国Siltronic开发了掺氮技术,产品最先进应用达到90nm线宽集成电路要求,制造出各类嵌入式存储器、MCU、CIS、图像识别芯片等。中国是全球最大的芯片需求市场,受半导体行业的需求带动,国内硅材料市场规模继续保持增长,然而中国大陆半导体硅片企业技术较为薄弱,业务规模较小,且产品多数以8英寸及以下半导体硅片为主。公司是国内为数不多的能够稳定量产8英寸半导体硅抛光片的企业,多年来坚持半导体产品特色化发展路线,开发了包括功率半导体用8英寸超低阻重掺As硅抛光片、超低阻重掺P硅抛光片、数字集成电路用8英寸COP-Free硅抛光片、车规IGBT用8英寸轻掺硅抛光片、SOI用8英寸硅抛光片等在内的硅抛光片特色产品,缓解了相关产品主要依赖进口的局面。
不少于150字
*
科技成果的应用市场评价
径向电阻率变化达到0.4%,径向氧含量达到1.8%,体铁浓度达到1.7E10atoms/cm3,氧化层错达到0个/cm2,TTV达到0.58μm,STIR(25*25,最优面) 达到0.09μm,Warp(最优面)达到4.1μm,颗粒(含COP)达到8.5个/片(@0.08μm),表面金属沾污≤0.14E9atoms/cm2(Cr、Fe、Ni、Cu、Zn)。技术指标先进。 开发出逻辑电路、IGBT、MEMS等领域用高品质8英寸硅片制备技术,于2015年在北京、2019年在山东建立年产180万片生产线,形成了全流程工艺体系,运行稳定,质量可靠。技术重现性好,成熟度高。
不少于150字
*
评价专家组综合意见
项目突破了高品质8英寸硅片的技术壁垒,提升了现有国内8英寸硅材料的产品质量和技术水平,增强了国内半导体硅材料产业的综合竞争力,带动了国内半导体装备和配套材料的发展,完善了产业生态,推动了国内半导体产业的整体进步。
评价专家署名
*
评价专家姓名
*
评价专家联系方式
*
评价专家职务
*
评价专家所在单位
关闭