以硅为代表的半导体为电子产业的繁盛提供了坚实的技术支撑，而柔性电子缺乏低温、高性能和产业兼容的新型半导体共性技术。新型金属氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）凭借超低漏电、低温工艺等优势有望成为新型显示、三维集成电路和柔性电子的核心技术，现阶段被美日韩等国家主导。技术团队通过对氧化物半导体材料、工艺和器件的系统研究，揭示了其独特的缺陷态热演化机制，在主流阳离子方案之外提出了阴阳离子共掺杂技术，研发了更兼容材料特性的EMMO器件，开辟了高兼容度、自主可控的柔性氧化物技术发展路线，为新型显示、三维集成电路、柔性传感等前沿产业提供底层共性技术支撑。原创技术和转化成果荣获教育部技术发明奖一等奖等多项荣誉。
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