高性能稀土掺杂氧化物 TFT 量产技术

团队发明了用于薄膜晶体管(TFT)的稀土元素掺杂氧化物半导体新材料体系(Ln-IZO),显著改善了TFT的电学性能,大幅度提高了TFT的电子迁移率和稳定性,相关技术正在导入TFT规模量产线,用于高端平面显示产品。相关技术从材料组份设计、掺杂原理、薄膜工艺、器件结构设计与集成、性能品质提升等方面均体现出创新性。基于自主研制的Ln-IZO材料与器件技术,开发出与 Ln-IZO 材料相匹配的器件结构和配套的制程工艺，突破了制备彩色柔性有机发光（OLED）显示屏技术。 本技术主要用于高性能平面显示TFT驱动背板,是关键共性驱动技术,有望突破我国大尺寸OLED显示屏关键驱动材料问题。氧化物半导体材料与TFT器件是新型显示领域备受关注的核心技术之一,国外对于最先进的氧化物半导体材料组份配方、靶材制造技术、薄膜工艺生产技术等一直都采取保密的态度,导致我国企业在氧化物TFT技术量产化方面受到一定影响。本技术是结合我国丰富的稀土元素自主研制的Ln-IZO稀土氧化物半导体材料,通过“新材料”结合“新结构”的方式,打通“高校科研院所原创技术研发-材料和技术小试验证-高世代量产线工程化验证”的创新链条,不仅突破了日本在传统IGZO (ZnO:In:Ga)材料体系的专利限制,而且在产品性能方面全面得到了大幅度的提升。