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本实用新型公开了一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。

一种功率半导体模块用电极结构

[0001]技术领域

[0002]本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率半导体模块用电极结构。

[0003]背景技术

[0004]功率半导体模块通常被应用于电力电子变换装置当中，比如电机驱动装置等。一般功率模块在封装过程当中，电极同模块内部连接，同时电极也会引出同外部进行连接。一般情况下，功率模块的电极在封装的最后是需要进行折弯的。

[0005]现有功率模块电极直接进行折弯，电极的折弯处与整个电极是一个整体平面；折弯后可能会出现在折弯处电极表面出现裂纹，镀层损伤的情况，这样会造成产品在实际使用过程当中，镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大。

[0006]公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

[0007]实用新型内容

[0008]本实用新型的目的在于提供一种功率半导体模块用电极结构，以解决现有技术中存在的技术问题。

[0009]为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

[0010]本实用新型提供一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。

[0011]作为一种进一步的技术方案，所述点阵排列的凹槽设置在所述电极弯折处的两面。

[0012]作为一种进一步的技术方案，所述凹槽区的宽度为2-3mm。

[0013]采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：

[0014]本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。