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需求解析

技术需求基本信息

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技术需求解析

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技术研发指南

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。对于32nm及更高技术节点，超浅结(USJ)艺中的清洗成为最关键的前道(FEOL)清洗工艺，对此国际半导体蓝图(ITRS)要求每次清洗所造成的硅材料损失小于0.3。要满足这样苛刻的要求对于高剂量离子注入后的去胶工艺而言是相当困难的。对于使用超低k电介质绝缘材料的双大马士革结构，当介电常数(k值)小于2.5，去胶工艺变得困难，常规使用的湿法或干法去胶工艺都无法同时满足清洗和k值的要求。因此，无论是对于前道还是后道(BEOL)清洗工艺，业界都需要从各个角度去衡量可行的解决方案，从全湿法清洗到全干法清洗，再到两者的结合。

没有成熟技术，新化合物的合成技术是待解决的关键问题

如何在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡

1、1-5wt%醇类、10-30wt%邮寄醇胺、0.1-5wt%季铵碱、60-80wt%醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水；

2、去胶液处理量更大且更加稳定；

3、高效的去除半导体晶圆上的光刻胶，同时对于基材基本没有攻击如金属铝、铜等，在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景；

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