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需求解析

技术需求基本信息

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万元

技术需求解析

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技术研发指南

通常在对铝进行干蚀刻制程后，会出现颗粒物附着于蚀刻腔体的内壁上形成发尘源(particle source)的问题，当这些颗粒物在后续的蚀刻制程中掉落于待蚀刻膜层上时，很可能造成线路蚀刻残留和短路的问题，影响产品良率。通常这些颗粒物包括氯化铝(AlCl3)颗粒、氧化铝(Al2O3)颗粒、及氟化铝(AlF3)颗粒。因此需要一种铝蚀刻液技术。

铝蚀刻液的技术难点在于铝金属电化学性质差异大，氧化能力不同，即蚀刻速率存在较大差异。在实际生产时，往往是-种蚀刻液同时对应多层金属膜层，蚀刻完成后对应坡度角有时会存在异常，如膜层角度较大(80~90°)、顶层金属钼发生尖角或缩进等现象，产生宏观不良及进行后工序时会产生相应的光学不良或导致后层物质残留，影响产品品质。

1、提供一种金属铝蚀刻速率高，反应稳定，无残留，基本无侧蚀的生产工艺。

2、解决蚀刻液组合物蚀刻铝材料过程中，对蚀刻速率慢、难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量而造成的多层配线的半导体装置的配线的断路、短路，得到较高的成品率，提供一种高蚀刻速率无残留酸性铝蚀刻液组合物。

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