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大尺寸低氧含量单晶硅生长工艺关键技术研发

发布时间: 2026-06-08
截止日期:2026-06-08

价格 ¥100万

地区： 宁夏回族自治区 银川市 市辖区

需求方： 银川*科协

行业领域

新材料技术

需求背景

银川市硅片产能位居全国第一，单晶硅棒产能全国第二，已建成全球单体规模最大、智能化程度领先的单晶硅生产基地，“十五五”期间正加快晶硅产业提档升级、全力打造“中国新硅都”。当前，大尺寸单晶硅片存在氧含量偏高、均匀性欠佳等技术瓶颈。本地高温超导磁控直拉法已可将硅片含氧量稳定控制在5ppma以下，但面向更严苛的半导体级应用，需进一步降低氧含量并提升品质一致性

需解决的主要技术难题

  1. 大尺寸（12英寸及以上）单晶硅生长过程中氧含量精准控制与分布均匀性问题；

  2. 热场设计优化以降低晶体微缺陷密度；

  3. 单晶硅生长过程智能化工艺参数动态调控

期望实现的主要技术目标

  1. 实现大尺寸单晶硅棒氧含量稳定控制在6ppma以下；

  2. 单晶硅电阻率集中性达85%以上；

  3. 单晶硅棒成品率提升8个百分点以上；

  4. 形成可工业化的12英寸半导体级单晶硅生长工艺包