高纯碳化硅粉体制备
价格 750万
地区: 宁夏回族自治区 银川市 贺兰县
需求方: 宁夏***公司
行业领域
制造业
需求背景
碳化硅因优异的性能被广泛应用于各个领域中,其中以禁带宽度大、临界击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度高和介电常数小特性,被作为电子器件和传感器的衬底材料,成为具有发展前景的第三代宽禁带半导体材料。高纯碳化硅粉体是PVT法生产碳化硅单晶主要原材料,粉体纯度直接影响碳化硅单晶的杂质含量,进而影响碳化硅单晶的电学性能,因此高纯的碳化硅粉体制备工艺研究极为重要。目前,制备高纯碳化硅粉体的工艺方法很多,例如:自蔓延高温合成、溶胶-凝胶、化学气相沉积、等离子体法等,各制备方法也存在明显的优缺点,主要表现在碳化硅粉体纯度低、无法产量化、生产成本大等。由于制备方法和设备不同,碳化硅粉料的质量和性能也存在差异,相对应的市场价格不同。因此,高纯碳化硅粉体制备没有成熟的工艺和设备。
项目已完成前期调研工作,但在高纯碳化硅粉体制备工艺和生产设备方面仍处于摸索阶段,所以急需高纯碳化硅粉体研究方面的专家给予技术指导或技术合作。
需解决的主要技术难题
1.碳化硅陶瓷换热管件专用粉体配方设计与制备工艺研究;
2.碳化硅陶瓷换热管件成型工艺研究;
3.碳化硅陶瓷换热管件无压烧结工艺研究;
4.碳化硅陶瓷换热管件力学、热学、腐蚀等性能研究。
期望实现的主要技术目标
高纯碳化硅粉体制备工艺能实现粉体合成速率高、粉体纯度较高、原料便宜、合成过程简单、粒径分布均匀、可用于大批量的生产。
高纯碳化硅粉体参数指标:
粒径 ≤ 70 nm、纯度 ≥ 99.99%
处理进度